Baza elementului elementelor semiconductoare este în continuă creștere. Fiecare nouă invenție în acest domeniu, de fapt, schimbă întreaga idee a sistemelor electronice. Capacitățile de proiectare a circuitelor se schimbă, apar noi dispozitive bazate pe acestea. A trecut mult timp de la inventarea primului tranzistor (1948). Au fost inventate structurile „p-n-p” și „n-p-n”, tranzistoare bipolare. De-a lungul timpului, a apărut și tranzistorul MIS, care funcționează pe principiul modificării conductivității electrice a stratului semiconductor din apropierea suprafeței sub acțiunea unui câmp electric. Prin urmare, un alt nume pentru acest element este câmp.
Abrevierea însăși MIS (metal-dielectric-semiconductor) caracterizează structura internă a acestui dispozitiv. Într-adevăr, poarta sa este izolată de scurgere și sursă printr-un strat subțire neconductiv. Un tranzistor MIS modern are o lungime de poartă de 0,6 µm. Doar un câmp electromagnetic poate trece prin el - acesta este ceea ce afectează starea electrică a semiconductorului.
Să ne uităm la cum funcționează un FET și să aflăm care este principala diferență față de„frate” bipolar. Când apare potențialul necesar, pe poarta sa apare un câmp electromagnetic. Afectează rezistența joncțiunii dren-sursă. Iată câteva dintre beneficiile utilizării acestui aparat.
- În starea deschisă, rezistența de tranziție dren-sursă este foarte mică, iar tranzistorul MIS este folosit cu succes ca cheie electronică. De exemplu, poate conduce un amplificator operațional prin derivarea unei sarcini sau poate participa la circuite logice.
- De asemenea, este de remarcat impedanța mare de intrare a dispozitivului. Acest parametru este destul de relevant atunci când lucrați în circuite cu curent scăzut.
- Capacitatea scăzută a joncțiunii dren-sursă face posibilă utilizarea tranzistorului MIS în dispozitive de în altă frecvență. Nu există nicio distorsiune în transmisia semnalului în timpul procesului.
- Dezvoltarea noilor tehnologii în producția de elemente a condus la crearea tranzistoarelor IGBT care combină calitățile pozitive ale elementelor de câmp și bipolare. Modulele de putere bazate pe acestea sunt utilizate pe scară largă în demaroarele soft și convertoare de frecvență.
La proiectarea și lucrul cu aceste elemente, trebuie luat în considerare faptul că tranzistoarele MIS sunt foarte sensibile la supratensiune din circuit și electricitate statică. Adică, dispozitivul se poate defecta când atinge terminalele de control. Când instalați sau demontați, utilizați împământare specială.
Perspectivele de utilizare a acestui dispozitiv sunt foarte bune. Mulțumităproprietățile sale unice, a găsit o largă aplicație în diverse echipamente electronice. O tendință inovatoare în electronica modernă este utilizarea modulelor IGBT de putere pentru funcționarea în diferite circuite, inclusiv circuite de inducție.
Tehnologia producției lor este în mod constant îmbunătățită. Sunt în curs de dezvoltare pentru a reduce (reduce) lungimea oblonului. Acest lucru va îmbunătăți performanța deja bună a dispozitivului.
